产品描述：以alpha-Al2O3与莫来石复合相为主体，等静压/模压成型，高温烧结，兼顾高温强度与抗热震。适配高温、重载、快速升降温烧成路线。

产品特性：推荐工作温度至1500-1650C；热震稳定，循环升降温至1500C可保持整体性；热膨胀系数约5.6x10^-6/K（1000C）；抗腐蚀、抗粉化，持平面性好。

典型应用：锂电正极材料、磁性材料、电子陶瓷等辊道窑/推板窑推板。

产品描述：可选反应结合SiC（RSiC）或氮化结合SiC（NSiC）。致密度高、强度高、导热率高，热梯度快、变形小。

产品特性：RSiC典型最高使用温度约1380C，1200C弯曲强度可达>=280 MPa，CTE≈4.5x10^-6/K，导热率约45 W/m·K（1200C）；NSiC最高使用温度约1450-1650C，CTE≈2.7-2.8x10^-6/K，导热率约31-39 W/m·K，热震性能更优。

典型应用：卫生瓷、高档结构陶瓷、金属粉末烧结承烧板及重载承烧系统。

产品描述：以堇青石为主晶相的轻质多孔推板，可含少量莫来石/刚玉调配，低热膨胀、抗热裂。

产品特性：推荐用于<=1300C工况（多数堇青石-莫来石在<=1350C范围内稳定，承载能力随温度上升而下降）；CTE低（典型约2.5-3.0x10^-6/K），导热低，弯曲强度常温约10-15 MPa。

典型应用：日用瓷、建陶、电子陶瓷隧道窑与梭式窑推板，追求轻量化与快速热循环场合。

产品描述：高铝莫来石复合体系匣钵，低杂质、抗反应，适用于高温粉体与功能陶瓷保护烧成。

产品特性：建议工作温度至约1650C；热膨胀系数约5.6x10^-6/K（1000C）；抗渣蚀、抗粉化，循环寿命长。

典型应用：5N氧化铝、氧化铟、磁性材料、电子陶瓷粉体匣装烧成。

产品描述：RSiC、NSiC或重结晶SiC（RSiC-recrystallized）匣钵，具有高导热与高强度，急冷急热稳定。

产品特性：RSiC长期使用温度约<=1380C、短时可更高；NSiC可至1450-1650C区间；高导热（约15-45 W/m·K，随材质和温度而变），CTE低（约4.5x10^-6/K）。可选抗氧化涂层以延寿。

典型应用：锂电正极、高端粉体、金属粉末无氧化/保护气氛烧结匣装器具。

产品描述：高铝莫来石复合支柱，实心或空心结构，强调高温承载与抗化学侵蚀。

产品特性：适用温度至1500-1600C；高温蠕变小，抗折与抗压强度优于堇青石体系，热震性能较纯刚玉改善。

典型应用：辊道窑/推板窑承重系统、窑车立柱及搁架构件。

产品描述：RSiC/NSiC支柱，致密高强，热导高、CTE低，承载稳定，适合频繁热循环与高气流冲刷。

产品特性：NSiC典型最高使用温度约1450-1650C；室温抗折可达约60-200 MPa（视材质），CTE约4.5-4.6x10^-6/K，密度约2.6-2.85 g/cm3。

典型应用：卫生瓷与结构陶瓷重载承烧系统支撑、玻璃与粉末冶金窑架。

产品描述：高纯alpha-氧化铝，经精细粉体与高温烧结获得高致密度与细晶组织；可提供基板、环、套、喷嘴、绝缘子、阀座、轴承球等，并可金属化钼锰-钎焊封接。

主要特性：高弯曲强度与硬度、介电强度与体积电阻率高、热导率高于中低纯度等级，耐高温惰性与耐磨性优，气密性好。

典型应用：功率电子/LED陶瓷基板、真空电器绝缘件、精密阀座与密封、喷嘴、量具、轴承滚动体、热电偶绝缘管、耐磨衬件。

产品描述：中高纯度氧化铝陶瓷，性能均衡、可加工性与成本适中，是结构件与电绝缘件的主流等级。

主要特性：高抗折与高压缩强度、介电常数稳定、体积电阻率高、热导率约27 W/(m·K)，热膨胀系数约7.0x10^-6/C。

典型应用：泵阀耐磨件、导向环、轴套、陶瓷塞规、喷嘴、线圈骨架、绝缘支架、电子基板及可金属化封接件。

产品描述：含量约75%的氧化铝瓷，常用于一般电工绝缘与机械结构件，密度与强度低于95/99瓷，成本优势明显。

主要特性：致密度中等（典型>=3.3 g/cm3），介电强度显著低于高纯等级（约4-8 kV/mm），导热率与强度居中，适合中等载荷与中温绝缘用途。

典型应用：电气绝缘瓷件、治具垫块、一般耐磨衬块、工装夹具与隔热支撑件。